内存类型的内存主要技术？什么是电脑双通道内存技术

本文目录

• 内存类型的内存主要技术
• 什么是电脑双通道内存技术
• 什么是DDR内存技术
• 现代内存芯片采用哪些技术提高芯片的带宽或降低访问延迟
• 电脑内存技术参数有哪些
• 内存双通道是什么及技术原理
• 什么是双通道内存技术
• 服务器内存技术有哪些
• 微型计算机的内存主流技术是

内存类型的内存主要技术

服务器及小型机内存也是内存(RAM)，它与普通PC（个人电脑）机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，主要是在内存上引入了一些新的特有的技术，如ECC、ChipKill、热插拔技术等，具有极高的稳定性和纠错性能。内存主要技术：(1)ECC在普通的内存上，常常使用一种技术，即Parity，同位检查码（Parity check codes）被广泛地使用在侦错码（error detectioncodes）上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术。ECC的英文全称是“ Error Checking and Correcting”，对应的中文名称就叫做“错误检查和纠正”，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。之所以说它并不是一种内存型号，那是因为并不是一种影响内存结构和存储速度的技术，它可以应用到不同的内存类型之中，就象前讲到的“奇偶校正”内存，它也不是一种内存，最开始应用这种技术的是EDO内存，SD也有应用，而ECC内存主要是从SD内存开始得到广泛应用，而新的DDR、RDRAM也有相应的应用，主流的ECC内存其实是一种SD内存。(2)ChipkillChipkill技术是IBM公司为了解决服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则一般无能为力。ECC技术之所以在服务器内存中泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，正因为这样才使得ECC技术得到了充分地认可和应用，使得ECC内存技术成为几乎所有服务器上的内存标准。但随着基于Intel处理器架构的服务器的CPU性能在以几何级的倍数提高，而硬盘驱动器的性能同期只提高了少数的倍数，因此为了获得足够的性能，服务器需要大量的内存来临时保存CPU上需要读取的数据，这样大的数据访问量就导致单一内存芯片上每次访问时通常要提供4（32位）或8（64位）字节以上的数据，一次性读取这么多数据，出现多位数据错误的可能性会大大地提高，而ECC又不能纠正双比特以上的错误，这样就很可能造成全部比特数据的丢失，系统就很快崩溃了。IBM的Chipkill技术是利用内存的子结构方法来解决这一难题。内存子系统的设计原理是这样的，单一芯片，无论数据宽度是多少，只对于一个给定的ECC识别码，它的影响最多为一比特。举个例子来说明的就是，如果使用4比特宽的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性将分别组成不同的ECC识别码，这个ECC识别码是用单独一个数据位来保存的，也就是说保存在不同的内存空间地址。因此，即使整个内存芯片出了故障，每个ECC识别码也将最多出现一比特坏数据，而这种情况完全可以通过ECC逻辑修复，从而保证内存子系统的容错性，保证了服务器在出现故障时，有强大的自我恢复能力。采用这种内存技术的内存可以同时检查并修复4个错误数据位，服务器的可靠性和稳定得到了更加充分的保障。(3)RegisterRegister即寄存器或目录寄存器，在内存上的作用我们可以把它理解成书的目录，有了它，当内存接到读写指令时，会先检索此目录，然后再进行读写操作，这将大大提高服务器内存工作效率。带有Register的内存一定带Buffer(缓冲)，并且能见到的Register内存也都具有ECC功能，其主要应用在中高端服务器及图形工作站上，如IBM Netfinity 5000。内存典型类型：服务器及小型机常用的内存有SDRAM和DDR两种内存。

什么是电脑双通道内存技术

双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存***发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。最早被应用于服务器和工作站系统中。 双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存***发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽双通道内存技术增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的**却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔865/875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400/533/800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，

什么是DDR内存技术

1.DDR和SDR有什么区别？ DDR是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 2.DDR400的频率就是400MHZ吗？ 可以这么认为，但严格来说，DDR400的实际工作频率是200MHz，由于其带宽双倍于同频率的SDRAM，因此它的等效工作频率为400MHz。 3.什么是双通道内存？ 所谓双通道DDR，简单来说，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为64-bit的内存***下，因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽，如果是DDR400的话，双通道技术可以使其达到DDR800的效果，内存带宽陡增一倍，由原先的3.2GB/S猛增为6.4GB/s。 双通道DDR有两个64bit内存***，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存***，两个内存***都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如，当***B准备进行下一次存取内存的时候，*** A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存***的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。 4.使用双通道DDR400就会使系统性能大大提升吗？ 会，但仅限于P4C系列。双通道内存技术是为了满足超线程CPU那高达6.4G/S的带宽需求而产生的，一般CPU搭配双通道内存没有什么实际意义。内存带宽只要满足CPU总线带宽的需要就可以了（怎么算详见前面讲过的CPU数据带宽计算公式），再高的话对系统性能没有多少提升，反而会让CPU成为新的系统瓶颈。 5.怎么才能开启双通道内存？ a)首先，主板芯片要支持，目前支持双通道内存的芯片有Intel i865/875/915/925全系列，VIA PT880，SIS 655FX/655TX，ATI 9100IGP。 b)要将内存插入正确的DIMM槽中，开启双通道必须要搭配两条内存，而这两条内存必须插在两个不同通道的DIMM槽中。一般来说，不同颜色的DIMM槽就是不同的通道，当然这可能需要根据产品的不同另当别论，主板说明书中都会有介绍的。 另外提醒大家一下，组成双通道的两条内存最好是一样的，不然可能会出现稳定性下降的问题。 6.我该买什么型号的内存？ 关于选购配件我有一个原则，合适的就是最好的，不要看着别人怎样、潮流怎样就盲从他人。 a)关于内存的大小。如果只是普通的上网、学习、办公用，256M就可以了，但是如果是游戏玩家，256的内存已经难于应付，这就需要搭配512M甚至1G来满足自己的需求。 b)关于内存的频率。前面讲过，内存带宽要与CPU带宽一致。CPU外频和内存外频有着密切关系，关系到识别内存参数问题。如赛扬2.4G，我们知道赛扬2.4G外频为100，需要的内存带宽为3.2G（根据计算CPU需要内存带宽得出的），理论上用DDR400（内存带宽为3.2G/S就可以满足CPU所需要的带宽.但是，由于赛扬外频为100，不能正确识别DDR400，外频为200的内存，赛扬只能识别外频为133的DDR266，是为什么呢？Intel在主板芯片组上设定了“内存异步工作”来保护自己的产品，因为一旦CPU要求3.2GB/s的数据吞吐而内存本身达不到，芯片组不进行设置的话——内存被强制要求更高的数据流量，必然产生内存强行超频，从而导致稳定性下降。作为初学者可以这么认为：CPU外频是多少，就选用工作频率是多少的内存（注意不是等效频率，而且仅限于DDR）。——帮就帮到底，给大家列个表！ 赛扬4—DDR266 赛扬D—DDR333 P4B—DDR333 P4C—DDR400（要两条组双通道） P4E—DDR400（要两条组双通道） 新P4A(Prescott)—DDR333 Duron—DDR266 AthlonXP—DDR400(考虑到超频因素) Athlon64-DDR400（要两条组双通道） 其实目前在市场上DDR333与DDR400的差价已经很小了，大部分都在10元以内，因此大家可以不必那么教条的算公式，无论是考虑到超频或者日后的升级，DDR400都是首选

现代内存芯片采用哪些技术提高芯片的带宽或降低访问延迟

双通道DDR技术、四倍带宽内存技术。

双通道DDR技术为一种内存的控制技术，它和双通道RDRAM技术非常相类似，是在现有的DDR内存技术上，通过扩展内存子系统位宽使得内存子系统的带宽在频率不变的情况提高了一倍：即通过两个64bit内存***来获得128bit内存总线所达到的带宽。

用四倍带宽内存技术的英文全称是Quad Band Memory，简称QBM，QBM并不是什么全新的内存架构，也不是什么全新的内存产品，与双通道DDR技术一样也是一种内存控制技术。

QBM采用一种位填塞机制，不需要更高时脉频率的内存组件，在不增加内存基准频率的条件下，QBM可以利用现有的DDR内存和其它组件，实现了能获得两倍数据率的配置。

扩展资料

SDRAM、DDR和DDRⅡ的总线位宽为64位，RDRAM的位宽为16位。而这两者在结构上有很大区别：SDRAM、DDR和DDRⅡ的64位总线必须由多枚芯片共同实现，计算方法如下：内存模组位宽=内存芯片位宽×单面芯片数量（假定为单面单物理BANK）。

如果内存芯片的位宽为8位，那么模组中必须、也只能有8颗芯片，多一枚、少一枚都是不允许的；如果芯片的位宽为4位，模组就必须有16颗芯片才行，显然，为实现更高的模组容量，采用高位宽的芯片是一个好办法。

而对RDRAM来说就不是如此，它的内存总线为串联架构，总线位宽就等于内存芯片的位宽。

电脑内存技术参数有哪些

内存技术参数　　单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。　　这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。　　什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2条D D R内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3G B/s，而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6. 4 G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2.7G B/s的带宽。DDR400也只能提供3.2G /s的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400的内存，理论上提供2倍DDR400的带宽。将从而根本的解决了CPU和内存之间的瓶颈问题。　　DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-400产品直接过渡到DDR-II。目前DDR-II内存将采用0.13微米工艺，将来会过度到90纳米，工作频率也会超过800MHZ。

内存双通道是什么及技术原理

什么是内存双通道? 答:随着高端处理器的推出，处理器对内存系统的带宽要求越来越高，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈.内存厂商只要提高内存的运行频率，就可以增加带宽，但是由于受到晶体管本身的特性和制造技术的制约，内存频率不可能无限制地提升，所以在全新蹬内存研发出来之前，双通道内存技术就成了一种可以有效地提高内存带宽的技术。它最大的优势在于只要更改内存的控制方式，就可以在现有内存的基础上带来内存带宽的提升。从理论指标来看，双通道内存技术具有相当的优势。双通道DDR400的理论带宽为6 4GB/s，和英特尔的前端总线为800MHz的P4处理器及i865、i875芯片组完全匹配。前端总线为800MHz的P4平台选用双通道DDR400，与双通道的内存控制和管理机制及高带宽有很大关系。双通道内存技术原理? 答:双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，它能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。双通道DDR有两个64bit内存***，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽。 双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存***，两个内存***都能够并行运作。例如，当***B准备进行下一次存取内存的时候，***A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存***的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，因此双通道技术使内存的带宽翻了一翻。它的技术核心在于：芯片组（北桥）可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据，RAM可以达到128bit的带宽。

什么是双通道内存技术

双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存***，这两个内存***可相互独立工作，每个***控制一个内存通道。在这两个内存通过CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。流行的双通道内存构架是由两个64bit DDR内存***构筑而成的，其带宽可达128bit。因为双通道体系的两个内存***是独立的、具备互补性的智能内存***，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存***的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。双通道是一种主板芯片组(Athlon 64集成于CPU中）所采用新技术，与内存本身无关，任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上，所以不存在所谓“内存支持双通道”的说法。四通道内存就是同样的原理，位宽翻4倍。一般的家用，单、双、四通道内存的速度差别基本上体会不出来，而且家用电脑也不会支持4通道，最多支持双通道。只有有比较高端的、负载比较重的应用中能有多通道的优势，比如**渲染、视频制作等。

服务器内存技术有哪些

肯定是热插拔技术啊。热插拔技术运用在服务器内存上，就是指允许用户在不关闭系统，不切断电源的情况下取出和更换损坏的内存，提高服务器系统对灾难的及时恢复能力、扩展性和灵活性。热插拔技术普遍用于服务器的，不仅是内存，硬盘、电源，包括处理器，均可采用热插拔技术。

微型计算机的内存主流技术是

DDR（Double Data Rate）是用于系统的RAM技术，其特点是高带宽、低延时。DDR总线每个Channel是64bit宽度，每根Data的管脚（DQ）可以进行读操作或写操作（不同时）。目前的最新标准是DDR4，数据线可以支持到3200MT/s，而DDR5是未来的技术，数据速率会再翻倍。

GDDR（Graphics Double Data Rate），是用于显示的RAM技术，其特点是高带宽、高延时。GDDR5技术实际来源于DDR3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多Channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3G~6GT/s）。GDDR5已经使用了将近10年，目前最新的标准是GDDR6。

从数据速率上来说，GDDR更高，适合显示图像这种需要大数据量传输而对时延不太敏感的场合；而DDR技术由于延时小，所以更适合于CPU这种数据随机读取的场合。

据内部可靠消息，由于DDR5的数据速率已经达到甚至超过了现在一些串行总线的数据速率，所以DDR5芯片的接收端还会采用在串行总线上广泛应用的可变增益放大器VGA（variable gain amplifier）、可变Delay（通过DLL实现）以及4阶DFE（decision feedback equalizer）均衡技术以优化采样位置和眼图的质量。下图是DDR5芯片接收端的设计架构。

另外，DDR5还会采用HBM的封装以提高内存芯片的密度和通道数。High Bandwidth Memory (HBM) 技术最早来源于AMD、Hynix、UMC、Amkor、ASE等公司，是一种高速的**封装的RAM接口技术。第一代的HBM技术在2013年被JEDEC协会采纳（JESD235标准），代表产品是AMD公司代号为Fuji的GPU芯片（下图）；而其第二代的HBM2技术也在2016年被JEDEC协会采纳（JED235A标准），代表产品是nVidia公司的Tesla P100芯片。目前，第三代的HBM3技术也在开发过程中，并将用于未来的DDR5芯片上。

HBM技术可以把最多8层DRAM的Die堆叠起来，并通过TSV（Through-Silicon Vias：硅通孔）技术和内存***通过相应的Interposer互联起来。在HBM接口中，内存***和和不同的Die间采用独立的Channel进行互联，各个Channel间互相没有关系，因为可以进行独立的时序设计以提高数据传输速率。比如在采用4层Die堆叠、每个Die有2个Channel、每个Channel有128bit宽度时，如果采用4颗芯片，则总的数据位宽= 4（Stack）*4（Die）*2（Ch）*128（bit）= 4096bit。